Metode for registrering av fotoluminescens i silisiumwafere
Master thesis
Permanent lenke
http://hdl.handle.net/11250/188688Utgivelsesdato
2011-04-27Metadata
Vis full innførselSamlinger
- Master's theses (RealTek) [1722]
Sammendrag
Hensikten med denne masteroppgaven er å finne ut om det hyperspektrale kamera Institutt for matematiske realfag og teknologi (IMT) ved Universitetet for miljø- og biovitenskap (UMB) har i dag kan brukes til fotoluminescensopptak fra silisumwafere. To wafere, en med relativt kort levetid, og en med relativt lang levetid, blir belyst og studert. Waferen med kort levetid blir kun belyst med 2W 808 nm laser. Waferen med lang levetid derimot blir belyst med både
laser og to egenproduserte LED-Brett, med bølgelengder på henholdsvis 830 nm og 875 nm. Konklusjon er at utstyret gir et bra resultat som viser korngrenser og andre forskjeller i waferene godt. The purpose of this thesis is to determine if the hyperspectral camera belonging to the
Department of Mathematical Sciences and Technology (IMT) at the Norwegian university of Life Sciences (UMB) can be used to capture photoluminescense from silicon wafers. Two wafers, one with relatively short life and one with a relatively long life, are illuminated and
studied. Wafers with short life will only be illuminated with a 2W 808 nm laser. Wafers with a long life on the other hand, are illuminated with both a laser and two self-produced LED-boards, with respective wavelengths of 830 nm and 875 nm. The conclusion is that the equipment gives a good result showing the grain boundaries and other differences in wafers well.